高真空双频PECVD薄膜制备设备

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项目	配置和指标
1	整体结构
	设备总功率7KW，由PECVD镀膜室、气路系统、真空系统、基片加热系统、进气电极、双频电源、电气控制系统、尾气处理装置及软件组成。
2	系统控制
	采用触摸屏和PLC中央控制方式，配合相关电气控制单元对设备镀膜室、双频电源、膜厚监控系统等进行监测和控制，设水、电、气、真空、温度故障自动声光报警和保护系统。
3	真空系统
	真空配置抽速35m3/h涡旋干泵，气动阀控制；抽速4320m3/h磁悬浮分子泵，插板阀控制。真空室极限真空≤5×10-5Pa，工作背景真空≤4×10-4Pa，设备总体漏放率在停泵12小时后真空度≤10Pa。
4	进气和加热
	喷淋进气方式，采用铠装加热丝和封闭的不锈钢炉盘对基片加热，可加温RT～450℃，可控可调。
5	工艺概况
	电容耦合双频等离子体激活气体，双频电源的高频部分控制等离子体的通量，低频部分控制等离子体的能量。样片尺寸≤8英寸，衬底、电极间距5～50mm在线可调，工作控制压强10Pa～1000Pa，气体控制回路6路，双频电源频率13.56MHz/400KHz。
6	安全系统
	开启真空室门及真空室处于开门状态时，系统自动关闭真空室内电源，整套设备安装强电漏电保护装置、交流电供电系统检测报警装置。